具有氧原子空缺的双金属氧化物(Bi2Sn2O7, Ov-BSO)与导体(mWFG)结合形成的独特Schottky(肖特基)异质结构性能在电池系统中具有巨大的潜力，mWFG layer是包覆住Ov-BSO的，此异质结构可以表现出优异的界面性质，从而增强了空乏区(space charge region)的内建电压和界面偶极子，导致多数载流子反转，并诱发Ov-BSO表面之半导体型由N型转变为P型，使得异质结构表面(mWFG表面)富含电子，其异质节内部同步有利于钾离子(K+)的扩散及传输，双极载流子的有序传输可以促进电子和K离子轻松穿过异质结构的内表面和外表面。与常见的PN异质结构设计不同，Ov-BSO/mWFG可以有效的建立起较大的内建电压(built-in voltage)及界面极距(Interface dipole)，并且拥有足够大小的Schottky barrier，防止电子回流，让电子可以不可逆地从BSO传送到mWFG表面，增强材料外部导电性与反应性。此时，由于电子大量从BSO转移至mWFG，在异质界面中的BSO表面之空乏区的电洞(h+)浓度大于电子，会有半导体性质转变的现象发生(type inversion layer)，这些电洞有助于钾离子于异质材料内部进行传输并进行氧化还原反应。
由Ov-BSO/mWFG及普鲁士篮(PB)组成之高效能钾离子全电池系统，提供大量电池容量和高氧化还原平台有助于高能量密度全电池的实际可行性，提供长循环保持和高电压输出。 

https://doi.org/10.1002/smll.202305342