PCCP 哈尔滨工业大学
    发布时间: 2022-01-22 15:23    

本文讲述:对于金属/金属氧化物界面强度的研究,研究发现在金属氧化物中掺杂低价态原子后,引入了空穴(h+),这些空穴吸引金属球中的电子(e-),从而提高界面结合的强度。
文章链接:http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/cp/c8cp00744f#!divAbstract

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本文讲述:对于金属/金属氧化物界面强度的研究,研究发现在金属氧化物中掺杂低价态原子后,引入了空穴(h+),这些空穴吸引金属球中的电子(e-),从而提高界面结合的强度。(背封升级正封)


http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/cp/c8cp00744f#!divAbstract