本研究采用耦合摩擦纳米发电机（TENG）和InSe场效应晶体管的方式构成InSe摩擦电晶体管（InSe triboelectric transistor）。该摩擦电晶体管在外界摩擦力作用下，仅通过控制TENG两个摩擦层之间的距离即可调控InSe FET的电学特性，因而在低功耗高灵敏度摩擦传感器（tactile sensors）方面具有巨大的应用前景。

文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.201970125